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商业参数
| 其他名称 | NTD60N02RT4GOSCT | 标准包装数量 | 2,500 |
| 标准封装名称 | DPAK | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1.25W |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 1.87 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 最大频率 | Not Required MHz |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 击穿电压 | 25 | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 20A, 10V |
| 最大功耗 | 1870 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 25 V |
| 漏电流（最大） | 32 A | 导通电阻（最大） | 0.0105 ohm |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 14nC @ 4.5V | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 32 |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 32 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1330pF @ 20V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 8.5A (Ta), 32A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 6.22(Max) | 包装方式 | Tape and Reel |
| 插片宽度 | Tab | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 封装形式 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 冷却的封装 | DPAK | 总长度 | 6.73(Max) |
| 包装数量 | DPAK | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 2.38(Max) | 供应商器件封装 | D-Pak |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | N |
| 通道类型 | N | 印刷电路板数量 | 2 |
环境参数
| 工作温度 | -55C to 175C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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