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商业参数
| 其他名称 | NTD110N02RT4GOSCT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel, Cut Tape | 工厂包装数量 | 2500 |
| 标准封装名称 | DPAK | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 21 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 1.5W | 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 2.88 W | 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间（典型） | 21 ns | 最大频率 | Not Required MHz |
| 上升时间（典型） | 39 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 27 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 击穿电压 | 24 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4.6@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 2.88 W | 最大功耗 | 2880 |
| 传播延迟（最大） | 39 ns | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 24 V |
| 漏电流（最大） | 32 A | 导通电阻（最大） | 0.0046 ohm |
| 电流传输比（最小） | 44 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 11 ns | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 24V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 32 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 110 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3440pF @ 20V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 12.5A (Ta), 110A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 6.22 mm | 高度 | 2.38 mm |
| 长度 | 6.73 mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 3DPAK |
| 冷却的封装 | DPAK | 包装数量 | DPAK |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | D-Pak |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 系列 | NTD110N02R |
| 极性 | N | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | ON Semiconductor |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 175 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
