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NSV1C301ET4G

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NSV1C301ET4G

制造商
onsemi
描述Transistors Bipolar - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V TRANS NPN 100V 3A 3DPAK Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
分类
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商业参数

标准包装数量2,500工厂包装数量2500

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

最大功率2.1W晶体管类型NPN
供电电压100VVce饱和电压(最大)0.115 V
过渡频率120MHz增益带宽积120 MHz
平均正向功率33 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic140 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic250mV @ 300mA, 3A集电极电流(Ic)(最大)3A
集电极截止电流(最大)100nA (ICBO)直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce120 @ 1A, 2V

机械参数

包装方式*安装类型*
安装样式SMD/SMT封装形式*
供应商器件封装*

产品信息

制造商全称ON Semiconductor配置Single

环境参数

工作温度- 65 C