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商业参数
| 标准包装数量 | 1,000 | 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大功率 | 800mW | 晶体管类型 | PNP |
| 供电电压 | 100V | Vce饱和电压（最大） | - 0.22 V |
| 过渡频率 | 120MHz | 增益带宽积 | 120 MHz |
| 平均正向功率 | 2 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 140 V |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 220mV @ 200mA, 2A | 集电极电流（Ic）（最大） | 2A |
| 集电极截止电流（最大） | 100nA (ICBO) | 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
机械参数
| 包装方式 | * | 安装类型 | * |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | * |
| 供应商器件封装 | * | ||
产品信息
| 系列 | NSS1C200 | 制造商全称 | ON Semiconductor |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
文档与媒体
PDF 文档