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NJVMJD45H11T4G

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NJVMJD45H11T4G

制造商
onsemi
描述Trans GP BJT NPN 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TRANS BIP PNP 8A 80V DPAK-4 Transistors Bipolar - BJT BIP PNP 8A 80V TR Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
分类
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商业参数

标准包装数量Tape & Reel工厂包装数量2500
标准封装名称DPAK

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

最大功率1.75W最大频率85(Typ) MHz
晶体管类型PNP供电电压80V
元件数量1Vce饱和电压(最大)1 V
最小输入电压80 V过渡频率90MHz
增益带宽积90 MHz电源电压(最大)5
平均正向功率20 W最大功耗1750 mW
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1V @ 400mA, 8A集电极电流(Ic)(最大)8A
集电极截止电流(最大)8 A共模瞬态抗扰度(最小)Automotive
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce60@2A@1V|40@4A@1V

机械参数

包装方式Tape and Reel引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
封装形式3DPAK包装数量DPAK
位数3供应商器件封装DPAK-3

产品信息

类型NPN系列MJD45H11
制造商全称ON Semiconductor配置Single

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

文档与媒体

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