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NJVMJD41CT4G

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NJVMJD41CT4G

制造商
描述
Transistors Bipolar - BJT BIP NPN 6A 100V TR Trans GP BJT NPN 100V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TRANS BIP NPN 6A 100V DPAK-4 Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 6A 100V TR
分类
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商业参数

产品类别Transistors Bipolar - BJT标准包装数量2,500
工厂包装数量2500标准封装名称DPAK

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

最大功率1.75W最大频率3(Min)
晶体管类型NPN供电电压100V
元件数量1Vce饱和电压(最大)1.5 V
最小输入电压100过渡频率3MHz
增益带宽积3 MHz电源电压(最大)5
平均正向功率1.75 W最大功耗1750
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic100 VVce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1.5V @ 600mA, 6A
集电极电流(Ic)(最大)6A集电极截止电流(最大)50µA
共模瞬态抗扰度(最小)Automotive直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce30@0.3A@4V|15@3A@4V

机械参数

包装方式Reel引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
封装形式TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63包装数量DPAK
位数3供应商器件封装DPAK-3

产品信息

类型NPN系列MJD41C
技术Si制造商全称ON Semiconductor
配置Single

环境参数

工作温度+ 150 C

文档与媒体

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