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NJVMJD31T4G

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NJVMJD31T4G

制造商
onsemi
描述TRANS NPN BIPO 3A 40V DPAK Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
分类
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商业参数

标准包装数量2,500工厂包装数量2500

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

最大功率1.56W晶体管类型NPN
供电电压40VVce饱和电压(最大)1.2 V
过渡频率3MHz增益带宽积3 MHz
平均正向功率15 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic100 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1.2V @ 375mA, 3A集电极电流(Ic)(最大)3A
集电极截止电流(最大)50µA直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce10 @ 3A, 4V

机械参数

包装方式*安装类型*
安装样式SMD/SMT封装形式*
供应商器件封装*

产品信息

系列MJD31制造商全称ON Semiconductor

环境参数

工作温度- 65 C

文档与媒体

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