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BUX85G
| 制造商 | |
| 描述 | Trans GP BJT NPN 450V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail TRANS NPN 2A 450V 50W TO220AB BUX85G, NPN Bipolar Transistor, 2A 450V HFE:30V 4MHz Power, 3-Pin TO-220AB Transistors Bipolar - BJT 2A 450V 50W NPN BIPOLAR, TRANSISTOR BIPT0220NPN2A450V Transistor: NPN; bipolar; 1kV; 2A; 40W; TO66 Power transistor TO-220AB NPN 450 V, BUX85G, ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT 2A 450V 50W NPN |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | BUX85GOS | 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 标准包装数量 | Rail / Tube | 工厂包装数量 | 50 |
| 标准封装名称 | TO-220 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412100 |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| 频率 | 4 MHz | 最大功率 | 50W |
| 额定功率 | 50 W | 最大频率 | 4(Min) MHz |
| 晶体管类型 | NPN | 供电电压 | 450V |
| 元件数量 | 1 | 25°C时电阻 | 2.5°C/W |
| Vce饱和电压（最大） | 1 V | 最小输入电压 | 450 V |
| 过渡频率 | 4MHz | 增益带宽积 | 4 MHz |
| 电源电压（最大） | 5 V | 最大功耗 | 50000 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1 kV | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 2A | 集电极截止电流（最大） | 2 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 30@100mA@5V | 集电极-发射极击穿电压（最大） | 5 V |
机械参数
| 宽度 | 4.82mm | 高度 | 9.28mm |
| 长度 | 10.28mm | 重量 | 0.002 |
| 包装方式 | Rail | 引脚样式 | Through Hole |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 3TO-220AB |
| 冷却的封装 | TO-220AB | 材料表面处理 | :- |
| 包装数量 | TO-220AB | 主要材料 | Si |
| 尺寸/外形 | 9.28 x 10.28 x 4.82mm | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | ||
产品信息
| SPG | 100 | 类型 | NPN |
| 极性 | NPN | 卡标准 | Bipolar Power |
| 配置 | Single | 单元数量 | 1 |
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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