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BS170G
| 制造商 | |
| 描述 | NFET T092 60V 5R -LEAD FREE NFET T092 60V 500MA 5.0O Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Tube MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 MOSFET N-Channel 60V 0.5A TO-92 BS170G, N-channel MOSFET Transistor 0.5A 60V, 3-Pin TO-92 MOSFET 60V 500mA N-Channel MOSFET, N, TO-92 MOSFET;N-Ch;VDSS90VDC;RDS(ON)1.8Ohms;ID0.5A;TO-92(TO-226);PD350mW;-55degc Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 83W; TO92 |
| 分类 |
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商业参数
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 1000 | 标准封装名称 | TO-92 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 350mW |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 0.35 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | N-Channel | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 1mA | 击穿电压 | 60 V |
| 阈值电压 | :2V | 最大额定电流 | :500mA |
| 导通电阻 RDS(On) | :5ohm | 触点电压（最大） | :60V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5000@10V mOhm | 最大功耗 | 0.35 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V | 漏电流（最大） | 0.5 A |
| 导通电阻（最大） | 5 Ω | 电流传输比（最大） | 200Millimhos |
| 电流传输比（最小） | 0.2 S | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.5 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 500 mA |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 60pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 500mA (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 4.19mm | 高度 | 5.33mm |
| 长度 | 5.2mm | 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | Tube | 引脚样式 | Through Hole |
| 引脚间距 | :1.27mm | 极化 | N-Channel |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 3TO-92 |
| 冷却的封装 | TO-92 | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 包装数量 | TO-92 | 尺寸/外形 | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
产品信息
| SPG | 1000 | 类型 | Small Signal |
| 极性 | N | 原理图 | see |
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | Small Signal |
| 配置 | Single | 单元数量 | 1 |
环境参数
| 测试温度 | :25°C | 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 结工作温度 | +150°C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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