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BD139G

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BD139G

制造商
描述
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk TRANS NPN 1.5A 80V HPWR TO225AA BD139G, NPN Bipolar Transistor, 1.5A 80V HFE:25V Power, 3-Pin TO-225 Transistors Bipolar - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TO-225 Bulk TRANSISTOR, NPN, TO-225AA Power transistor TO-126 NPN 80 V, BD139G, ON Semiconductor ON Semiconductor , NPN 晶体管, 1.5 A, Vce=80 V, HFE:25, 3针 TO-225封装 Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
分类
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商业参数

其他名称BD139GOS产品类别Transistors Bipolar - BJT
标准包装数量Bulk, Boxed工厂包装数量500

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900

电气参数

最大功率1.25W晶体管类型NPN
供电电压80V元件数量1
Vce饱和电压(最大)0.5 V最小输入电压80 V
电源电压(最大)5 V最大功耗1250 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic80 VVce饱和电压(最大)@ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
集电极电流(Ic)(最大)1.5A平均整流电流 Io:1.5A
集电极截止电流(最大)1.5 A直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V

机械参数

宽度2.66mm高度11.04mm
长度7.74mm重量0.00064
包装方式Bulk安装类型Through Hole
安装样式SMD/SMT引脚数:3
封装形式3TO-225冷却的封装TO-225
材料表面处理:-包装数量TO-225
尺寸/外形11.04 x 7.74 x 2.66mm位数3
供应商器件封装TO225AA

产品信息

类型NPN卡标准Bipolar Power
配置Single

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

文档与媒体

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