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BSN20

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BSN20

制造商
NXP Semiconductors N.V.
描述Trans MOSFET N-CH 50V 0.173A 3-Pin TO-236AB T/R Trans MOSFET N-CH 50V 0.173A 3-Pin TO-236AB MOSFET, N CH, 50V, 0.173A, SOT23 BSN20T1
分类
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合规参数

RoHSRoHS Compliant PartSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号85412900抗辐射加固No

电气参数

最大栅源电压 Vgs�20 V最大功率Not Required W
噪声系数Not Required dB额定功率0.83 W
额定输出功率Not Required dB最大频率Not Required MHz
晶体管类型:N Channel元件数量:1
阈值电压:1V最大额定电流:173mA
导通电阻 RDS(On):15ohm触点电压(最大):50V
最大功耗:830mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic50 V
漏电流(最大)0.173 A导通电阻(最大)15 ohm
峰值脉冲电流(8/20µs):700mAVce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss):50V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)0.173 A
连续漏极电流(Id)@ 25°C:173mA

机械参数

重量0.000033端接方式:SMD
安装类型Surface Mount引脚数:3
封装形式:SOT-23冷却的封装TO-236AB
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited位数3

产品信息

类型Power MOSFET极性N
SMD标记:M8p通道类型Enhancement

环境参数

测试温度:25°C工作温度-65C to 150C

文档与媒体

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