BAS19

制造商	NXP Semiconductors N.V.
描述	Diode SOT-23 120 V, BAS19, NXP

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电气参数

导通电压	1.25 V@ If=200 mA	断态电压	120 V
反向恢复时间（trr）	50	通态平均电流（最大）	200

封装形式

SOT-23

工作温度

-65...150 °C