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PMBFJ177,215
| 制造商 | |
| 描述 | Trans JFET P-CH 30V 20mA 3-Pin TO-236AB T/R JFET P-CH 30V 300MW SOT23 PMBFJ177,215, JFET Transistor, P-channel 20mA 30V, 3-Pin TO-236AB Trans JFET P-CH 30V 20mA Si 3-Pin TO-236AB T/R PMBFJ177@215 NXP P通道 JFET 晶体管 30 V, Idss: 1.5 → 20mA, 3针 SOT-23封装 JFET JFET P-CH 30V 0.8mA |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | 568-5033-1 | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | P-Channel | 最大栅源电压 Vgs | 30 V |
| 最大功率 | 300mW | 导通电阻（典型） | 300 Ohm |
| 晶体管类型 | P-Channel | 供电电压 | 30 V |
| 输入电阻 | 300 Ω | Vgs(th)（最大）@ Id | 30V |
| 击穿电压 | 30 V | 导通电阻 RDS(On) | 300 Ohm |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 漏电流（最大） | 0.02 A |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 30 V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 击穿电压（V(BR)GSS） | 30V | 截止电压（VGS off）@ Id | 800mV @ 10nA |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 20 mA | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 30V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 1.5mA @ 15V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 8pF @ 10V (VGS) |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 20 mA | ||
机械参数
| 宽度 | 1.4mm | 高度 | 1mm |
| 长度 | 3mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | 3TO-236AB |
| 冷却的封装 | TO-236AB | 包装数量 | SOT-23 |
| 尺寸/外形 | 3 x 1.4 x 1mm | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | ||
产品信息
| 功能 | Y | 通道类型 | P |
| 制造商全称 | NXP Semiconductors | 配置 | Single |
| 每IC通道数 | 单 | ||
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | 结工作温度 | 150C |