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PHB152NQ03LTA,118

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PHB152NQ03LTA,118

制造商
描述
MOSFET RAIL PWR-MOS MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
分类
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商业参数

其他名称568-2186-1零件号别名/T3 PHB152NQ03LTA
产品类别MOSFET标准包装数量800
工厂包装数量800

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间46 ns
FET特性Logic Level Gate最大功率150W
额定功率250 W上升时间(典型)87 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟71 ns
Vgs(th)(最大)@ Id2V @ 1mA导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs0.004 Ohms
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic25 V栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs36nC @ 5V
漏源电压(Vdss)25V栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)75 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3140pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C75A (Tc)

机械参数

包装方式Reel安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式SOT-404
供应商器件封装D2PAK

产品信息

配置Single

环境参数

机械寿命Obsolete工作温度+ 175 C

文档与媒体

在线文档
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