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BLT70,115

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BLT70,115

制造商
描述
Trans GP BJT NPN 8V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Transistors RF Bipolar Power TAPE-7 TNS-RFPR TRANS NPN 8V 250MA SOT223 BLT70,115, NPN Bipolar Transistor, 0.25A 8V HFE:25V RF, 4-Pin SC-73 Transistors RF Bipolar TAPE-7 TNS-RFPR
分类
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商业参数

零件号别名BLT70 T/R产品类别Transistors RF Bipolar Power
标准包装数量Tape & Reel工厂包装数量1000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

最大功率2.1W额定功率2100 mW
晶体管类型NPN供电电压8 V
元件数量1最小输入电压8 V
过渡频率900MHz电源电压(最大)2.5 V
最大功耗2100 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic16 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic2.5 V集电极电流(Ic)(最大)250mA
集电极截止电流(最大)0.25 A直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce25@100mA@4.8V

机械参数

宽度3.7mm高度1.7mm
长度6.7mm包装方式Reel
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
封装形式4SOT-223冷却的封装SC-73
尺寸/外形1.7 x 6.7 x 3.7mm位数4
供应商器件封装SC-73

产品信息

类型NPN卡标准Bipolar RF
配置Single Dual Emitter

环境参数

工作温度-65 to 175 °C

文档与媒体

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