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BFG25AW/X,115

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BFG25AW/X,115

制造商
描述
Transistors RF Bipolar Small Signal Single NPN 5V 6.5mA 500mW 50 5GHz Trans GP BJT NPN 5V 0.0065A 4-Pin(3+Tab) SO T/R TRANS RF NPN 5GHZ 5V SOT343 BFG25AW/X,115, NPN Bipolar Transistor, 0.007A 5V HFE:50V 5000MHz RF, 4-Pin SO Transistors RF Bipolar Single NPN 5V 6.5mA 500mW 50 5GHz
分类
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商业参数

其他名称568-6185-6标准包装数量3,000
工厂包装数量3000标准封装名称SOIC

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

最大功率500mW额定功率500 mW
最大频率5000 MHz晶体管类型NPN
供电电压5V元件数量1
最小输入电压5 V过渡频率5GHz
电源电压(最大)2 V最大功耗0.5 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic8 V噪声系数(dB典型值 @ f)1.9dB ~ 2dB @1GHz
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic2 V集电极电流(Ic)(最大)6.5mA
集电极截止电流(最大)0.007 A直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce50@0.5mA@1V

机械参数

宽度1.35mm高度1mm
长度2.2mm包装方式Tape and Reel
插片宽度Tab引脚样式Gull-wing Lead (L-Lead)
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
封装形式SOT-343 Reverse Pinning冷却的封装SO
总长度2.2(Max)包装数量SO
尺寸/外形1 x 2.2 x 1.35mm位数4
外壳尺寸-插件1(Max)供应商器件封装4-SO

产品信息

类型NPN卡标准Bipolar RF
配置Single Dual Emitter印刷电路板数量3

环境参数

工作温度+175 °C

文档与媒体

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