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BFG10W/X,115

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BFG10W/X,115

制造商
描述
Transistors RF Bipolar Small Signal TAPE-7 TNS-RFSS TRANS NPN 10V 250MA SOT343N BFG10W/X,115, NPN Bipolar Transistor, 0.25A 10V HFE:25V RF, 4-Pin SO Transistors RF Bipolar TAPE-7 TNS-RFSS
分类
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商业参数

零件号别名BFG10W/X T/R产品类别Transistors RF Bipolar
标准包装数量3,000工厂包装数量3000

合规参数

RoHSCompliant

电气参数

最大功率400mW额定功率400 mW
晶体管类型NPN供电电压10V
元件数量1最小输入电压10 V
过渡频率1.9GHz电源电压(最大)2.5 V
最大功耗0.4 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic20 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic2.5 V集电极电流(Ic)(最大)250mA
集电极截止电流(最大)0.25 A直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce25 @ 50mA, 5V

机械参数

宽度1.35mm高度1mm
长度2.2mm包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
封装形式SOT-343 Reverse Pinning冷却的封装SO
尺寸/外形1 x 2.2 x 1.35mm位数4
供应商器件封装4-SO

产品信息

类型RF Bipolar Small Signal卡标准Bipolar RF
配置Single Dual Emitter

环境参数

工作温度+175 °C

文档与媒体

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