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NTE65101
| 制造商 | |
| 描述 | SRAM Chip Async Single 5V 1K-Bit 256 x 4-Bit 450ns 22-Pin PDIP IC - NMOS 1K SRAM 450NS 22 LEAD DIP |
| 分类 |
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电气参数
| 接口 | Parallel Bus | 逻辑类型 | CMOS |
| 存取时间 | 450 ns | 电容 | 8 pF |
| 存储器类型 | SRAM | 上升时间（典型） | 20 ns |
| 供电电压 | -0.5 to 7 V | 漏电流 | ±1 μA |
| 输入电容值 | 4 pF | 额定电流 - AC | 9 mA |
| 最小输入电压 | 2.2 V (Min) (High), 0.65 V (Max.) (Low) | 上升/下降时间（典型） | 20 ns |
机械参数
| 冷却的封装 | DIP | ||
产品信息
| 密度 | 1024 | 制造商全称 | 256×4 |
环境参数
| 工作温度 | -40 to +85 °C | 结工作温度 | +85 °C |