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PMGD175XNEX

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PMGD175XNEX

制造商
描述
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1
分类
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商业参数

工厂包装数量3000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

下降时间6 ns, 6 ns最大栅源电压 Vgs12 V, 12 V
栅极电荷1.05 nC, 1.05 nC上升时间(典型)14 ns, 14 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟17 ns, 17 ns
通道数量2 ChannelVgs(th)(最大)@ Id750 mV, 750 mV
平均正向功率390 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V, 30 V
导通电阻(最大)411 mOhms, 411 mOhms电流传输比(最小)3.5 S, 3.5 S
连续漏极电流(Id)@ 25°C950 mA, 950 mA

机械参数

包装方式Reel安装样式SMD/SMT
封装形式SOT-363-6

产品信息

技术Si通道类型Enhancement
制造商全称Nexperia配置2 N-Channel

环境参数

工作温度+ 150 C