MT53E256M16D1FW-046 AIT:B TR
| 制造商 | |
| 描述 | IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA |
| 分类 |
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合规参数
| 零件状态 | Active | 资质认证 | AEC-Q100 |
电气参数
| 存储器容量 | 4Gbit | 存储器类型 | Volatile |
| 时钟频率 | 2.133 GHz | 供电电压 | 1.1V |
| 写入周期时间 - 字、页 | - | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 200-TFBGA | 供应商器件封装 | 200-TFBGA (10x14.5) |
产品信息
| 制造商 | Micron Technology Inc. | 等级 | Automotive |
| 系列 | - | 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 存储器格式 | DRAM | 存储器接口 | Parallel |
| 基础产品编号 | MT53E256 | 存储器架构 | 256M x 16 |
| DigiKey可编程 | Not Verified | ||
环境参数
| 工作温度 | -40°C ~ 95°C (TC) | ||