芯天下
TC4469COE

点击放大查看

TC4469COE

制造商
Microchip Technology Inc.
描述MOSFET DRVR 1.2A 4-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 16-Pin SOIC W Tube 4xDr AND/INV 1.2A 18V SO-16 SMD IC MOSFET DVR AND/INV 16SOIC TC4469COE, Quad MOSFET Power Driver 1.2A, 4.5 to 18V, 16-Pin SOIC W Gate Drivers 1.2A Quad LOGIC I/P DRIVER, MOSFET, 1.2A, QUAD, WSOIC16 1.2AQUADMOSFETDRVR,LOGICI/P,SOIC-16 Driver; 1.2A; Channels:4; non-inverting; 4.5÷18V; SO16 Driver IC, SOIC-16, 1.2 A, Inverting / Non Inverting, TC4469COE, Microchip Microchip 4路 MOSFET 功率驱动器, 1.2A, 16针 SOIC封装
分类
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

最小起订量282产品MOSFET Gate Drivers
单位包装47产品类别Gate Drivers
标准包装数量Rail / Tube工厂包装数量47
标准封装名称SOIC W

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85235290
汽车级NO抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform故障保护NANY/N/NA/NAN

电气参数

输出端non-inverting下降时间25 ns
延迟时间40ns输入类型Inverting and Non-Inverting
额定功率0.76 W额定电压4.5 V
上升时间(典型)25 ns输出电流4 mA
供电电流4 mA驱动电路Low Side
供电电压4.5 V ~ 18 V输出数量4
通道数量4峰值输出电流1.2(Typ) A
最小输入电压18V最小供电电压18 V
输入逻辑低电平CMOS最大功耗760 mW
传播延迟时间75 ns输入逻辑高电平CMOS
导通电阻(最大)NY/N/NA/NAN反向恢复时间(trr)15ns
传播速度(VoP)4.5V滑臂电阻(欧姆)(典型)10 Ohm
峰值脉冲电流(10/1000µs)1.2A漏电流(IS(off))(最大)NY/N/NA/NAN
最大传播延迟 @ V, 最大CL25冲击放电电流 (8/20µs)15ns
传播延迟 tpLH / tpHL(最大)75共模瞬态抗扰度(最小)Commercial

机械参数

宽度7.49mm高度2.31mm
长度10.3mm重量0.000638
包装方式Tube封装体颜色:SOIC
引脚样式Gull-wing端接方式:SMD
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
引脚数:16封装形式16SOIC W
冷却的封装SOIC W材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
包装数量SOIC W尺寸/外形10.3 x 7.49 x 2.31mm
位数16供应商器件封装16-SOIC W

产品信息

SPG47类型Low Side
已删除Compliant基本单元:4469
匹配码TC4469COE配置Low-Side
单元数量1模块/板类型:Low Side
驱动器数量4标准交期14 weeks
应用细节4xStage配置数4

环境参数

工作温度0 to 70 °C结工作温度0°C

文档与媒体

PDF 文档
在线文档
PDF 文档
PDF 文档