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TC4421CPA
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET DRVR 9A 1-OUT Lo Side Inv 8-Pin PDIP Tube 1xMOSFETDr 9A 18V I DIP-8 THT IC MOSFET DRIVER 9A INV 8DIP TC4421CPA, MOSFET Power Driver 9A, Inverting, 4.5 to 18V, 8-Pin PDIP Gate Drivers 9A Sngl IC, FET DRIVER 9A, 4421, DIP8 9ASNGLMOSFETDRVR Microchip MOSFET 功率驱动器, 9A, 反相, 8针 PDIP封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 60 | 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 单位包装 | 60 | 产品类别 | Gate Drivers |
| 标准包装数量 | Rail / Tube | 工厂包装数量 | 60 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 海关税号 | 85235290 | 汽车级 | NO |
| 零件状态 | :4421 | 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform | 故障保护 | NANY/N/NA/NAN |
电气参数
| 下降时间 | 75 ns | 延迟时间 | 30ns |
| 输入类型 | Inverting | 额定功率 | 0.73 W |
| 额定电压 | 4.5 V | 上升时间（典型） | 75 ns |
| 输出电流 | 1.5 mA | 供电电流 | 1.5 mA |
| 驱动电路 | Low Side | 供电电压 | 4.5 V ~ 18 V |
| 输出数量 | 1 | 峰值输出电流 | 9(Typ) A |
| 最小输入电压 | 18V | 输出电压（最大） | :17.975V |
| 最小供电电压 | 18 V | 输入逻辑低电平 | CMOS/TTL |
| 最大功耗 | 730 mW | 传播延迟时间 | 60 ns |
| 输入逻辑高电平 | CMOS|TTL | 导通电阻（最大） | NY/N/NA/NAN |
| 输出源/灌电流 | :2A | 传播速度（VoP） | 4.5V |
| 滑臂电阻（欧姆）（典型） | 0.9|1.4 Ohm | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 9A |
| 漏电流（IS(off)）（最大） | NY/N/NA/NAN | ||
机械参数
| 宽度 | 6.6mm | 高度 | 4.06mm |
| 长度 | 10.16mm | 重量 | 0.00085 |
| 包装方式 | TUBE | 封装体颜色 | :DIP |
| 端接方式 | :Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8PDIP | 冷却的封装 | PDIP |
| 材料表面处理 | :- | 尺寸/外形 | 10.16 x 6.6 x 4.06mm |
| 位数 | 8 | 供应商器件封装 | 8-PDIP |
产品信息
| 类型 | Low Side | 基本单元 | :4421 |
| 匹配码 | TC4421CPA | 配置 | Low-Side |
| 模块/板类型 | :Low Side | 驱动器数量 | 1 |
| 标准交期 | 14 weeks | 应用细节 | 1xDriver |
| 配置数 | 1 | ||
环境参数
| 温度范围 | :Commercial | 工作温度 | 0 to 70 °C |
| 结工作温度 | 0°C | ||
文档与媒体
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