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VP0106N3-G
| 制造商 | Microchip Technology Inc. |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 250MA 3TO-92 MOSFET 60V 8Ohm |
| 分类 |
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商业参数
| 标准包装数量 | 1,000 | 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 4 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 1W | 上升时间（典型） | 5 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel | 首抽头延迟 | 8 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 3.5V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 500mA, 10V | 平均正向功率 | 1 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 60 V | 导通电阻（最大） | 8 Ohms |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 4 ns | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 60pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 250mA (Tj) |
机械参数
| 宽度 | 4.19 mm | 高度 | 5.33 mm |
| 长度 | 5.21 mm | 包装方式 | * |
| 安装类型 | * | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | * | 供应商器件封装 | * |
产品信息
| 类型 | FET | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Microchip Technology |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
文档与媒体
在线文档