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VP0106N3-G P003
| 制造商 | Microchip Technology Inc. |
| 描述 | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | MOSFET Small Signal | 工厂包装数量 | 2000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 4 ns | 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 上升时间（典型） | 3 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 8 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| 平均正向功率 | 1 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 60 V |
| 导通电阻（最大） | 15 Ohms | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 4 ns |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | - 250 mA | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-92-3 | ||
产品信息
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Microchip Technology | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||