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DN2450K4-G
| 制造商 | Microchip Technology Inc. |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 350MA 3DPAK Small Signal FET DPAK N 500 V, DN2450K4-G, Microchip MOSFET MOSFET DEPLETION MODE 500V 10 Ohms |
| 分类 |
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商业参数
| 标准包装数量 | 2,000 | 工厂包装数量 | 2000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | FET特性 | Depletion Mode |
| 最大功率 | 2.5W | 额定功率 | 2.5 |
| 晶体管类型 | N-Channel | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 300mA, 0V |
| 平均正向功率 | 2.5 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 500 V |
| 导通电阻（最大） | 10 Ohms | 电流传输比（最小） | 500 S |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 跳闸后电阻（R1）（最大） | 10 Ohm@ 300 mA |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 700 mA | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 200pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 350mA (Tj) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) | ||
产品信息
| 极性 | N | 技术 | Si |
| 通道类型 | Depletion | 制造商全称 | Microchip Technology |
| 变体后缀 | Depletion mode | 其他规格 | 500 V |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
文档与媒体
在线文档