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VP0106N3G
| 制造商 | Microchip Technology Inc. |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 60V 0.25A 3-Pin TO-92 |
| 分类 |
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合规参数
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V | 额定功率 | 0.74 W |
| 元件数量 | 1 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 导通电阻（最大） | 8 ohm | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.25 A |
机械参数
| 安装类型 | Through Hole | 冷却的封装 | TO-92 |
| 位数 | 3 | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | P |
| 通道类型 | Enhancement | ||
环境参数
| 工作温度 | -55C to 150C | ||