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SI2302-TP
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | SI2302-TPMSCT | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | SOT-23 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±8 |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1.25W |
| 额定功率 | 1.25 W | 晶体管类型 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.2V @ 50µA | 击穿电压 | 20 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V | 平均正向功率 | 1.25 W |
| 最大功耗 | 1250 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V |
| 导通电阻（最大） | 110 mOhms | 电流传输比（最小） | 8.5 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 3 | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 237pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3A (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 1.4(Max) | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 总长度 | 3.04(Max) | 包装数量 | SOT-23 |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 1.12(Max) |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | ||
产品信息
| 系列 | SI2302 | 技术 | Si |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | Micro Commercial Components (MCC) |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
文档与媒体
PDF 文档