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MCCD2004-TP

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MCCD2004-TP

制造商
描述
MOSFET 10A, 20V Dual N Chan Mosfet,
分类
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商业参数

工厂包装数量3000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

下降时间12.3 ns, 12.3 ns最大栅源电压 Vgs12 V, 12 V
栅极电荷18.5 nC, 18.5 nC上升时间(典型)7.4 ns, 7.4 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟55 ns, 55 ns
通道数量2 ChannelVgs(th)(最大)@ Id500 mV, 500 mV
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic20 V, 20 V导通电阻(最大)17 mOhms, 17 mOhms
电流传输比(最小)36 S, 36 S连续漏极电流(Id)@ 25°C10 A, 10 A

机械参数

包装方式Reel安装样式SMD/SMT
封装形式DFN2030-6

产品信息

技术Si通道类型Enhancement
制造商全称Micro Commercial Components (MCC)配置2 N-Channel

环境参数

工作温度+ 150 C