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2N7002-TP
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 60V, 115mA Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH 115MA 60V SOT-23 N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-23, FULL REEL N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-23 |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | 2N7002-TPMSCT | 标准包装数量 | 3,000 |
| 标准封装名称 | SOT-23 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 200mW |
| 额定功率 | 200 mW | 晶体管类型 | N-Channel |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 | 阈值电压 | :1V |
| 导通电阻 RDS(On) | :1.2ohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| 最大功耗 | 200 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 导通电阻（最大） | 7.5 ohm | 电流传输比（最小） | 80 mS |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.115 |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 115 mA | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 115mA (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 1.4(Max) | 重量 | 0 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 冷却的封装 | SOT-23 | 总长度 | 3.04(Max) |
| 包装数量 | SOT-23 | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.12(Max) | 供应商器件封装 | SOT-23 |
产品信息
| 类型 | Small Signal | 系列 | 2N7002 |
| 极性 | N | 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | -55C to 150C | ||
文档与媒体
PDF 文档