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MKE38RK600DFELB

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MKE38RK600DFELB

制造商
描述
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD MOSFET CoolMOS Power MOSFET IXYS CoolMOS 系列 Si N沟道 MOSFET , 50 A, Vds=600 V, 9针 SMPD封装
分类
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商业参数

商标名COOLMOS标准包装数量45

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal OxideFET特性Standard
开通延迟时间80 ns输出功能增强
晶体管类型Si关断延迟时间750 ns
供电电压1V元件数量1
输入电阻45 mΩVgs(th)(最大)@ Id3.5V @ 3mA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs45 mOhm @ 44A, 10V集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V
导通电阻(最大)45 mOhms栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs190nC @ 10V
漏源电压(Vdss)600V输入电容(Ciss)(最大)@ Vds6800pF @ 100V
连续漏极电流(Id)@ 25°C50A (Tc)

机械参数

宽度23mm高度5.5mm
长度25mm包装方式*
安装类型*安装样式SMD/SMT
引脚数9封装形式*
包装数量SMPD尺寸/外形25 x 23 x 5.5mm
供应商器件封装*

产品信息

系列MKE38RK600DFELB功能Y
技术Si通道类型N
制造商全称IXYS卡标准功率 MOSFET

环境参数

工作温度+150 °C