点击放大查看
IXTP02N50D
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds Trans MOSFET N-CH 500V 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AD MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 标准包装数量 | 50 | 工厂包装数量 | 50 |
| 标准封装名称 | TO-220AD | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 45 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | FET特性 | Depletion Mode |
| 最大功率 | 1.1W | 额定功率 | 25 W |
| 上升时间（典型） | 4 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 28 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 25µA |
| 击穿电压 | 500 | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
| 平均正向功率 | 25 W | 最大功耗 | 1100 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 500 V | 导通电阻（最大） | 30 Ohms |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 9 ns | 漏源电压（Vdss） | 500V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.2 | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.2 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 120pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 200mA (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 4.83 mm | 高度 | 9.15 mm |
| 长度 | 10.66 mm | 重量 | 0.194007 oz |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 | 总长度 | 10.66(Max) |
| 包装数量 | TO-220AD | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) | 供应商器件封装 | TO-220 |
产品信息
| 系列 | IXTP02N50 | 技术 | Si |
| 通道类型 | Depletion | 制造商全称 | IXYS |
| 配置 | Single | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
文档与媒体
PDF 文档
PDF 文档