点击放大查看
IXTN600N04T2
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 40V 600A 4-Pin SOT-227B MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227 Gate Drivers GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET Discrete Semiconductor Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 产品 | MOSFET Gate Drivers | 商标名 | TrenchT2 GigaMOS |
| 标准包装数量 | 10 | 工厂包装数量 | 10 |
| 标准封装名称 | SOT-227 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 250 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 3.5V @ 250µA | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 940W | 额定电压 | 40 V |
| 开通延迟时间 | 40 ns | 上升时间（典型） | 20 ns |
| 输出电流 | 600 A | 关断延迟时间 | 90 ns |
| 输出数量 | 1 | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3.5V @ 250µA | 击穿电压 | 40 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.05 mOhm @ 100A, 10V | 平均正向功率 | 940 W |
| 最大功耗 | 940 W | 导通电阻（最大） | 1.3@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 590nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 600 | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 40000pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 600A | ||
机械参数
| 宽度 | 25.42(Max) | 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Screw | 安装类型 | Screw |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 总长度 | 38.23(Max) | 包装数量 | SOT-227B |
| 位数 | 4 | 供应商器件封装 | SOT-227B |
产品信息
| 类型 | TrenchT2 GigaMOS | 系列 | TrenchT2™ GigaMOS™ |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | IXYS |
| 驱动器数量 | Single | 印刷电路板数量 | 4 |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||