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IXTN210P10T
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227 MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs Discrete Semiconductor Modules TrenchP Channel Power MOSFETs |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | TrenchP | 标准包装数量 | 10 |
| 工厂包装数量 | 10 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 55 ns |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 740 nC |
| 最大功率 | 830W | 额定功率 | 830 W |
| 上升时间（典型） | 98 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 165 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 105A, 10V | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 100 V |
| 电流传输比（最小） | 90 s | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 740nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 15 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 210 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 69500pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 210A | ||
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Chassis Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 供应商器件封装 | SOT-227 | ||
产品信息
| 类型 | TrenchP Power MOSFET | 系列 | IXTN210P10 |
| 制造商全称 | IXYS | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||