点击放大查看
IXFP10N60P
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET HiPERFET Id10 BVdass600 Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 IXFP10N60P, N-channel MOSFET Transistor & Diode 10A 600V, 3-Pin TO-220 IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET , 10 A, Vds=600 V, 3针 TO-220封装 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 商标名 | HiPerFET | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 50 | 工厂包装数量 | 50 |
| 标准封装名称 | TO-220 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 21 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 200W | 额定功率 | 200 W |
| 开通延迟时间 | 23 ns | 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 27 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 65 ns | 首抽头延迟 | 65 ns |
| 供电电压 | 600 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 740 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5.5V @ 1mA | 击穿电压 | 600 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 740 mOhm @ 5A, 10V | 平均正向功率 | 200 W |
| 最大功耗 | 200 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 导通电阻（最大） | 0.74 Ω | 电流传输比（最小） | 11 s |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 32nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 23 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 10 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 10 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1610pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 10A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 4.83mm | 高度 | 9.15mm |
| 长度 | 10.66mm | 重量 | 0.081130 oz |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-220-3 | 冷却的封装 | TO-220 |
| 总长度 | 10.66(Max) | 包装数量 | TO-220 |
| 尺寸/外形 | 10.66 x 4.83 x 9.15mm | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 9.15(Max) | 供应商器件封装 | TO-220 |
产品信息
| 系列 | IXFP10N60 | 技术 | Si |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | IXYS |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档