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IXFH24N80P
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET DIODE Id24 BVdass800 Trans MOSFET N-CH 800V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD MOSFET N-CH 800V 24A TO-247 IXFH24N80P, N-channel MOSFET Transistor & Diode 24A 800V, 3-Pin TO-247AD IXYS , N沟道 MOSFET, 24 A, Vds=800 V, 3针 TO-247AD封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | HyperFET | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 30 | 工厂包装数量 | 30 |
| 标准封装名称 | TO-247-AD | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 24 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 650W | 额定功率 | 650 W |
| 开通延迟时间 | 32 ns | 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 27 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 75 ns | 首抽头延迟 | 75 ns |
| 供电电压 | 800 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 400 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 4mA | 击穿电压 | 800 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 12A, 10V | 平均正向功率 | 650 W |
| 最大功耗 | 650 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 800 V |
| 导通电阻（最大） | 0.4 Ω | 电流传输比（最小） | 25 s |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 105nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 32 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 24 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 24 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 7200pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 24A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 5.3mm | 高度 | 21.46mm |
| 长度 | 16.26mm | 重量 | 0.229281 oz |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-247-3 | 冷却的封装 | TO-247AD |
| 总长度 | 16.26(Max) | 包装数量 | TO-247AD |
| 尺寸/外形 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 21.46(Max) | 供应商器件封装 | TO-247 |
产品信息
| 系列 | IXFH24N80 | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | N |
| 制造商全称 | IXYS | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||