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SPD07N20 G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-KANAL POWER MOS MOSFET 200V 400mOhm 7A TO252 MOSFET N-CH 200V 7A TO252 MOSFET N-Ch 200V 7A DPAK-2 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 商标名 | OptiMOS |
| 单位包装 | 2500 | 其他名称 | SPD07N20 GCT |
| 零件号别名 | SP000449008 SPD07N20GBTMA1 SPD07N20GXT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 2,500 | 工厂包装数量 | 2500 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 21 nC |
| 最大功率 | 40W | 额定功率 | 40 W |
| 晶体管类型 | N-Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 1mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.4 Ohms | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 200 V |
| 每端口功率（瓦） | 40W | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 200V |
| 电流传输比（最小） | 4.2 S, 3 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 21nC |
| 直流电阻（DCR）- 初级 | 4.2 S, 3 S | 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 7 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 530pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 7A |
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | SMD |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TO-252 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 | ||
产品信息
| 系列 | SPD07N20 | 匹配码 | SPD07N20 G |
| 技术 | OptMOS | 配置 | Single |
| 标准交期 | 13 weeks | ||
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | 热阻 @ GPM | 3.1K/W |