点击放大查看
IPS135N03L G
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30A 13.5mOhms MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3 MOSFET N-Channel 30V 30A OptiMOS3 TO251 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 , 30 A, Vds=30 V, 3针 TO-251封装 MOSFET N-Ch 30V 30A IPAK-3 OptiMOS 3 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 商标名 | OptiMOS | 零件号别名 | IPS135N03LGAKMA1 SP000788220 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 1,500 |
| 工厂包装数量 | 1500 | ||
合规参数
| RoHS | Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 2 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 31W | 额定功率 | 31 W |
| 开通延迟时间 | 3 ns | 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 3 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 12 ns | 首抽头延迟 | 12 ns |
| 供电电压 | 30 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 0.0205 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA | 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 30A, 10V | 平均正向功率 | 31 W |
| 最大功耗 | 31 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 20.5 mΩ @ 4.5 V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 3 ns | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 30 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 30 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1000pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 30A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 6.22mm | 高度 | 2.41mm |
| 长度 | 6.73mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 冷却的封装 | PG-TO-251-3-11 | 包装数量 | TO-251 |
| 尺寸/外形 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 | ||
产品信息
| 系列 | IPS135N03 | 功能 | Y |
| 技术 | GaN | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Infineon Technologies | 卡标准 | DC/DC Converter, SMPS |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | +175 °C | ||