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IPP80N06S4L-05
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET MOSFET 60V 4.8mOHM AECQ TO220 MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET , 80 A, Vds=60 V, 3针 TO-220封装 MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 500 | 单位包装 | 500 |
| 零件号别名 | IPP80N06S4L05AKSA1 IPP80N06S4L05AKSA2 SP000415708 | 标准包装数量 | 500 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 汽车级 | AEC-Q(100) |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 逻辑类型 | YES |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 107W |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.2V @ 60µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.0085Ohm |
| 每端口功率（瓦） | 107W | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 60V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 83nC | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 80A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 8180pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 80A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | THT |
| 封装形式 | TO220-3 | 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
产品信息
| 系列 | IPP80N06S4L | 匹配码 | IPP80N06S4L-05 |
| 标准交期 | 17 weeks | ||
环境参数
| 热阻 @ GPM | 1.4K/W | ||