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IPD144N06N G
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A MOSFET N-CH 60V 50A TO-252 |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | IPD144N06NGINDKR | 零件号别名 | IPD144N06NGBTMA1 |
| 标准包装数量 | 2,500 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 11 ns |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 136W |
| 额定功率 | 135 W | 上升时间（典型） | 35 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 29 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 80µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 14.4 mOhm @ 50A, 10V |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 54nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 50 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1900pF @ 30V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 50A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 | ||
产品信息
| 系列 | IPD144N06 | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||