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IPB13N03LB G
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30A MOSFET N-CH 30V 30A TO-263 |
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商业参数
| 其他名称 | IPB13N03LBGINDKR | 标准包装数量 | 1,000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 52W | Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 20µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 30A, 10V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 11nC @ 5V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1355pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 30A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 供应商器件封装 | P-TO263-3 |
文档与媒体
PDF 文档