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IPB055N03L G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 50A MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 MOSFET, N CH, 50A, 30V, PG-TO263-3 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET , 50 A, Vds=30 V, 2针+焊片 PG-TO-263-3封装 MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | OptiMOS | 其他名称 | IPB055N03LGINDKR |
| 零件号别名 | IPB055N03LGATMA1 SP000304110 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 1,000 | 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 4 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :10V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 68W | 额定功率 | 68 W |
| 上升时间（典型） | 5.2 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 25 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 最大额定电流 | :50A | 导通电阻 RDS(On) | :4.6mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 30A, 10V | 最大功耗 | :68W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 31nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 50 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3200pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 50A (Tc) | ||
机械参数
| 重量 | 0.002 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
产品信息
| 系列 | IPB055N03 | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | ||