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BSZ130N03MS G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET OptiMOS 3 M-Series N-CH 30V 35A 13mOhm S3O8 MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TSDSON-8 MOSFET N-Ch 30V 35A TSDSON-8 OptiMOS 3M |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 5000 | 商标名 | OptiMOS |
| 单位包装 | 5000 | 其他名称 | BSZ130N03MSGINCT |
| 零件号别名 | BSZ130N03MSGATMA1 SP000313122 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 5,000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 2 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :10V | 逻辑类型 | YES |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 25W |
| 额定功率 | 2.1 W | 上升时间（典型） | 2.2 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 13 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA | 阈值电压 | :1V |
| 最大额定电流 | :35A | 导通电阻 RDS(On) | :9.2mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.017Ohm | 最大功耗 | :25W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 每端口功率（瓦） | 25W |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 30V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 6.1nC |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 35A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1300pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 9A (Ta), 35A (Tc) | ||
机械参数
| 重量 | 0.002 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | SMD | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | TSDSON-8 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | ||
产品信息
| 系列 | BSZ130N03 | 匹配码 | BSZ130N03MS G |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 标准交期 | 21 weeks |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | 热阻 @ GPM | 5K/W |