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BSC320N20NS3 G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-KANAL POWER MOS MOSFET 200V 32mOhm 36A SSO-8 MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 MOSFET N-Channel 200V 36A TDSON8 Infineon , N沟道 MOSFET, 36 A, Vds=200 V, 8针 TDSON封装 MOSFET N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 1 | 商标名 | OptiMOS |
| 单位包装 | 5000 | 其他名称 | BSC320N20NS3 GCT |
| 零件号别名 | BSC320N20NS3GATMA1 SP000676410 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 5,000 | 工厂包装数量 | 5000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 4 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Logic Level Gate | 栅极电荷 | 22 nC |
| 最大功率 | 125W | 额定功率 | 125 W |
| 上升时间（典型） | 9 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 22 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 90µA | 击穿电压 | 200 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | n.s.Ohm | 最大功耗 | 125 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 200 V | 每端口功率（瓦） | 125W |
| 导通电阻（最大） | 32 mΩ | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 200V |
| 电流传输比（最小） | 58 S, 29 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 22nC |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 14 ns | 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 36 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 36A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2350pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 36A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 6.1mm | 高度 | 1.1mm |
| 长度 | 5.35mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | SMD | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TDSON-8 | 冷却的封装 | PG-TDSON-8 |
| 尺寸/外形 | 5.35 x 6.1 x 1.1mm | 位数 | 8 |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) | ||
产品信息
| 系列 | BSC320N20 | 匹配码 | BSC320N20NS3 G |
| 技术 | OptiMOS | 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | High Frequency Switching, Synchronous Rectification | 配置 | Quad Drain, Single Gate, Triple Source |
| 标准交期 | 21 weeks | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | 热阻 @ GPM | 1K/W |