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BSC019N04NS G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 40V 100A MOSFET 40V 100A 1.9mOHM SSO8 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 5000 | 商标名 | OptiMOS |
| 单位包装 | 5000 | 其他名称 | BSC019N04NS GCT |
| 零件号别名 | BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NSGXT SP000388299 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 5,000 | 工厂包装数量 | 5000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 6.6 ns |
| 逻辑类型 | NO | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 125W | 额定功率 | 2.5 W |
| 上升时间（典型） | 5.6 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 33 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 85µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.0019 Ohms | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| 每端口功率（瓦） | 125W | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 40V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 84nC | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 29 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 8800pF @ 20V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 30A (Ta), 100A (Tc) |
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | SMD |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TDSON |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) | ||
产品信息
| 系列 | BSC019N04 | 匹配码 | BSC019N04NS G |
| 技术 | OptiMOS | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 标准交期 | 21 weeks | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | 热阻 @ GPM | 1K/W |