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BFP 740F H6327
| 制造商 | |
| 描述 | Transistors RF Silicon Germanium RF BIP TRANSISTOR TRANS RF NPN 42GHZ 4.7V SOT343 Transistors RF Bipolar RF BIP TRANSISTOR RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
| 分类 |
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商业参数
| 零件号别名 | BFP740FH6327XT BFP740FH6327XTSA1 SP000750416 | 产品类别 | Transistors RF Silicon Germanium |
| 标准包装数量 | 3,000 | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 增益 | 27.5dB | 频率 | 42 GHz |
| 最大功率 | 160mW | 额定功率 | 160 mW |
| 最大频率 | 42 GHz | 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 4 V | 过渡频率 | 42GHz |
| 平均正向功率 | 160 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 13 V |
| 噪声系数（dB典型值 @ f） | 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1.2 V |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 30mA | 集电极截止电流（最大） | 30 mA |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 400 | ||
机械参数
| 宽度 | 0.8 mm | 高度 | 0.55 mm |
| 长度 | 1.4 mm | 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TSFP-4 | 供应商器件封装 | 4-TSFP |
产品信息
| 类型 | RF Silicon Germanium | 系列 | BFP740 |
| 技术 | SiGe | 制造商全称 | Infineon Technologies |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||