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BCR 162 E6327
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | Transistors Switching - Resistor Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR |
| 分类 |
商业参数
| 零件号别名 | BCR162E6327HTSA1 BCR162E6327XT SP000010785 | 产品类别 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 标准包装数量 | 3,000 | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大功率 | 200mW | 晶体管类型 | PNP |
| 供电电压 | 50 V | 基极电阻（R1） | 4.7 KOhms |
| 过渡频率 | 200MHz | 电阻匹配比 | 1 |
| 发射极-基极电阻（R2） | 4.7k | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA | 集电极截止电流（最大） | 100nA (ICBO) |
| 集电极脉冲电流 (Icm) | 100 mA | 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 20 |
机械参数
| 宽度 | 1.3 mm | 高度 | 1 mm |
| 长度 | 2.9 mm | 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-23-3 | 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
产品信息
| 系列 | BCR162 | 制造商全称 | Infineon Technologies |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||