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IRFR3518PBF
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 38A DPAK Infineon , N沟道 MOSFET, 38 A, Vds=80 V, 3针 DPAK封装 MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 29mOhms 37nC |
| 分类 |
商业参数
| 工厂包装数量 | 6000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 13 ns | 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 37 nC | 开通延迟时间 | 12 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间（典型） | 25 ns |
| 晶体管类型 | Si | 关断延迟时间 | 37 ns |
| 首抽头延迟 | 37 ns | 供电电压 | 80 V |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 29 mΩ | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V |
| 平均正向功率 | 110 W | 最大功耗 | 110 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 80 V | 导通电阻（最大） | 24 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 34 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12 ns | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1710 pF@ 25 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 38 A | ||
机械参数
| 宽度 | 6.22mm | 高度 | 2.39mm |
| 长度 | 6.73mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 表面贴装 | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | TO-252-3 |
| 包装数量 | DPAK | 尺寸/外形 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
产品信息
| 类型 | HEXFET Power MOSFET | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | N |
| 制造商全称 | Infineon Technologies | 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | +175 °C | ||
文档与媒体
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