芯天下
IRFH7932TRPBF

点击放大查看

IRFH7932TRPBF

制造商
描述
MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC
分类
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

商标名StrongIRFET工厂包装数量4000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

下降时间20 ns最大栅源电压 Vgs20 V
栅极电荷34 nC上升时间(典型)48 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟23 ns
通道数量1 ChannelVgs(th)(最大)@ Id1.35 V to 2.35 V
平均正向功率3.4 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
导通电阻(最大)3.9 mOhms电流传输比(最小)59 S
开关时间(Ton, Toff)(最大)20 ns连续漏极电流(Id)@ 25°C104 A

机械参数

高度1 mm长度6 mm
包装方式Reel安装样式SMD/SMT
封装形式PQFN-8

产品信息

类型HEXFET Power MOSFET技术Si
通道类型Enhancement制造商全称Infineon / IR
配置Single Quad Drain Triple Source

环境参数

工作温度+ 150 C

文档与媒体

PDF 文档
PDF 文档
PDF 文档