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IRF7425PBF

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IRF7425PBF

制造商
Infineon Technologies AG
描述MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC Infineon , P沟道 MOSFET, 15 A, Vds=20 V, 8针 SOIC封装 MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC
分类
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商业参数

工厂包装数量3800

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

下降时间160 ns最大栅源电压 Vgs12 V
栅极电荷87 nC开通延迟时间13 ns
输出功能增强上升时间(典型)20 ns
晶体管类型Si关断延迟时间230 ns
首抽头延迟230 ns供电电压20 V
通道数量1 Channel元件数量1
输入电阻8 mΩVgs(th)(最大)@ Id1.2V
平均正向功率2.5 W最大功耗2500 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 20 V导通电阻(最大)8.2 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs±12 V开关时间(Ton, Toff)(最大)13 ns
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds7980 pF@ 15 V连续漏极电流(Id)@ 25°C15 A

机械参数

宽度4mm高度1.5mm
长度5mm包装方式Tube
安装类型表面贴装安装样式SMD/SMT
引脚数8封装形式SO-8
包装数量SOIC尺寸/外形5 x 4 x 1.5mm

产品信息

类型HEXFET Power MOSFET功能Y
技术Si通道类型P
制造商全称Infineon Technologies卡标准功率 MOSFET
配置Single Quad Drain Triple Source

环境参数

工作温度+150 °C

文档与媒体

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