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IRF7343QPBF
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC IRF7343QPBF, Dual N/P-channel MOSFET Transistor 55V, 8-Pin SOIC -20VFETKY-MOSFETANDSCHOTTKYDIODEINASO-8PACKAGE Transistor: N/P-MOSFET x2; unipolar; HEXFET; 55V; 4.7A; 2W; SO8 |
| 分类 |
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商业参数
| 标准包装数量 | Rail / Tube | ||
合规参数
| RoHS | Compliant | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | 栅极电荷 | 24 (N)/26 (P)nC |
| 额定功率 | 2W | 开通延迟时间 | 8.3/14ns |
| 下降时间（典型） | 13@N Channel|22@P Channel ns | 晶体管类型 | HEXFET |
| 关断延迟时间 | 32/43ns | 首抽头延迟 | 32@N Channel|43@P Channel ns |
| 供电电压 | 0.7/-0.8V | 元件数量 | 2 |
| 击穿电压 | 55 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 50@10V@N Channel|105@10V@P Channel mOhm |
| 最大功耗 | 2 W | 传播延迟（最大） | 3.2@N Channel|10@P Channel ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 55/-55V | 导通电阻（最大） | 0.05 (N-Channel) Ω, 0.105 (P-Channel) Ω |
| 电流传输比（最大） | 7.9/3.3S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 24 nC @ 10 V (N-Channel), 26 nC @ 10 V (P-Channel) |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 8.3@N Channel|14@P Channel ns | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 4.7@N Channel|3.4@P Channel A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4.7/-3.4A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 690 pF @ 25 V (P-Channel), 740 pF @ 25 V (N-Channel) |
机械参数
| 宽度 | 4mm | 高度 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm | 重量 | 0.22 g |
| 极化 | N-ChannelandP-Channel | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 8SOIC | 冷却的封装 | SOIC |
| 包装数量 | 190 | 尺寸/外形 | 5 x 4 x 1.5mm |
| 位数 | 8 | ||
产品信息
| SPG | 190 | 类型 | Power |
| 极性 | unipolar | 通道类型 | N|P |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Dual, Dual Drain |
| 单元数量 | 1 | ||
环境参数
| 热阻 | 62.5K/W | 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 自然散热热阻 | 62.5°C/W | ||
文档与媒体
PDF 文档